太极半导体新专利：闪存芯片堆叠结构将系统性能推向新高

  近日，太极半导体（苏州）有限公司获得了一项引人注目的专利—“一种多闪存芯片堆叠封装结构”。依照国家知识产权局的公告，这项专利的授权号为CN222638977U，申请日期则是在2024年1月。随着科学技术的慢慢的提升，半导体行业正经历前所未有的革新，这一专利的取得无疑为太极半导体在竞争非常激烈的市场中狙击对手打下了坚实的基础。

  专利的核心内容涉及集成电路的先进堆叠存储器封装技术，采用了创新的结构设计，包括基板、左侧和右侧的闪存芯片堆叠体。在这一结构中，左侧和右侧的闪存芯片都被环氧树脂牢牢封装，且左侧的闪存芯片堆叠体呈现出多层次的设计，通过DAF膜形成了一个阶梯状的层叠结构。令人兴奋的是，这种对称的堆叠方式不仅减少了电路板的数量和尺寸，提升了存储的集成度，同时还明显降低了封装体积。

  更重要的是，这项技术的进步还在于，其带来了更高的带宽和更快的传输速度，使总系统的性能得到了前所未有的升级。这在某种程度上预示着在未来的应用中，数据传输能更迅速、更高效，强化了设备的操作体验与应用效率。

  成立于2013年的太极半导体（苏州）有限公司，位于中国苏州市，专注于计算机、通信以及其他电子设备的制造。根据天眼查的数据，该公司参与了44次招投标，拥有98条专利以及4个行政许可。这项新专利的发布不仅展现了太极半导体在闪存技术领域的创新能力，也为其未来的发展增添了新的动力。在快速的提升的科技浪潮中，谁将成为下一个赢家？让我们拭目以待。返回搜狐，查看更加多